南京沃天PC90D单晶硅差压传感器是一种具有可靠过载压力保护功能的差压传感器。

PC90D 单晶硅差压传感器差压敏感核心采用了高性能的硅压阻式差压芯片，利用全焊接密封结构进行组装，并在高真空下充灌硅油，不同材质的测量膜片在隔离被测介质与差压芯片的同时，还能使传感器对各种强腐蚀性介质的压差信号进行长期可靠测量。 PC90D单晶硅差压传感器通过外部恒流或恒压供电激励能将被测的压差信号转换成与之线性正比的毫伏电压信号。

一、 原理

               图1 硅传感器的结构图                                                                      图2 加压以后效果

南京沃天 PC90D 单晶硅差压传感器采用德国进口高稳芯片

● 精度高

● 稳定性好

● 耐静压

二、 结构介绍

1 爆炸图

2 基芯部件

三、优点

1 过压保护设计

如图 所示，为克服单晶硅硅片抗过载能力不足的缺陷。该单向压力过载保护差压传感器不仅能测出现场工况在额定压力范围内的压差值，而且在发生单向压力过载的情况下还能有效地进行自我保护，避免了PC90D 单晶硅差压传感器 单向压力过载而引起的损坏。

2量程比可调性能

表一  PCM3051S-DP差压变送器的量程比性能试验

结论：抽3只，量程比设置为10:1 和100:1 ，测试结果都能达到较高精度

3 压力滞后性能

² 压力滞后特性也称回程误差特性，俗称回差，对于压力、差压变送器来说是一个较为重要的考核指标。回差的大小直接影响到变送器的测量准确性 和长期漂移性能。

² 如图4所示，这是一张典型的单晶硅误差曲线和金属电容误差曲线的比较示意图。从图中可以看出，单晶硅原理传感器的线性误差曲线的回差极小，上行程和下行程几乎重合，其回差基本可以忽略不计；而金属电容式原理的线性误差曲线的回差较大，上行程和下行程呈开口状，直接影响到变送器的输出精度 。

4 静压特性

南京沃天 PC90D 单晶硅差压传感器采用特殊 的单晶硅芯片封装工艺，封装以后其内腔和外腔达到压力平衡。如图所示为PC90D单晶硅硅片的封装示意图，当有工作静压加载到测量硅片的正负腔时， 工作静压通过硅片外部的正腔硅油和硅片内部的负腔硅油平衡加载到测量硅片上，并实现了相互抵消，从而使得测量硅片对工作静压的弯曲变形极小。这样处理大幅提升了差压变送器的静压影响性能。

三、差压变送器核心部件

南京沃天科技股份有限公司成立于2005 年，专注生产压力传感器，是国内重量级的压力传感器厂家，拥有扩散硅压力传感器的核心技术，现有员工 260名。南京沃天科技股份有限公司 年产扩散硅压力传感器150多万只，产品出口70多个国家和地区。